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J-GLOBAL ID：200903068995410434
自己集合単分子膜の形成方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998112222
Publication number (International publication number)：1999301129
Application date： Apr. 22, 1998
Publication date： Nov. 02, 1999
Summary：
【要約】【課題】 短時間で効率的にかつ確実に自己集合性化合物が均一に配列した自己集合単分子膜が得ることが可能な自己集合単分子膜の形成方法を提供すること。【解決手段】 導電性基材の表面に吸着して自己集合単分子膜を形成することが可能な自己集合性化合物を該基材の表面に供給する化合物供給工程と、前記基材の一端に一方の端子が接続されかつ該基材の他端に他方の端子が接続されている電源を備えた通電装置により、前記自己集合性化合物が前記基材の表面に供給された際に該基材に通電して自己集合単分子膜を形成せしめる通電工程と、を含むことを特徴とする自己集合単分子膜の形成方法。
Claim (excerpt)：
導電性基材の表面に吸着して自己集合単分子膜を形成することが可能な自己集合性化合物を該基材の表面に供給する化合物供給工程と、前記基材の一端に一方の端子が接続されかつ該基材の他端に他方の端子が接続されている電源を備えた通電装置により、前記自己集合性化合物が前記基材の表面に供給された際に該基材に通電して自己集合単分子膜を形成せしめる通電工程と、を含むことを特徴とする自己集合単分子膜の形成方法。
IPC (2)：
FI (2)：
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