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J-GLOBAL ID：200903068996851191
半導体露光装置の露光時間設定方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
井内 龍二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991187287
Publication number (International publication number)：1993036580
Application date： Jul. 26, 1991
Publication date： Feb. 12, 1993
Summary：
【要約】【構成】 アライメント光を基板に照射した際のアライメント光の光強度と、アラインメント光の基板側からの反射光の光強度と、基準レジスト塗布時の反射率に対する最適露光時間の値との関係から最適露光時間を求めるようになっている半導体露光装置の露光時間設定方法。【効果】 下地膜厚、レジスト種及び基板の反射率の変化にも対応することができ非常に高い精度の線幅制御が可能になる。
Claim (excerpt)：
アラインメント光を基板に照射した際のアライメント光の光強度と、アラインメント光の基板側からの反射光の光強度と、基準レジスト塗布時の反射率に対する最適露光時間の値との関係から最適露光時間を求めることを特徴とする半導体露光装置の露光時間設定方法。
IPC (2)：
H01L 21/027
, G03F 7/20 521
