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J-GLOBAL ID：200903069004852740

多重量子障壁ゲートトランジスタ

Inventor： 入川 理徳 ,  伊賀 健一
Applicant, Patent owner： 古河電気工業株式会社 ,  伊賀 健一
Agent (1)： 鈴木 雄一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993131267
Publication number (International publication number)：1994260658
Application date： May. 06, 1993
Publication date： Sep. 16, 1994
Summary：

【要約】【目的】 優れた伝達コンダクタンス特性と高耐圧特性を有するトランジスタを提供する。【構成】 チャンネル層3とゲート電極10の間、および、またはチャンネル層3に対しゲート電極10と反対側の領域にチャンネル層3に沿って、入射キャリアを波動として反射し、入射波と反射波とが強め合う位相となるように反射し得る作用を有する多重量子障壁構造4を設ける。

Claim (excerpt)：

チャンネル層とゲート電極の間、および、またはチャンネル層に対しゲート電極と反対側の領域にチャンネル層に沿って、入射キャリアを波動として反射し、入射波と反射波とが強め合う位相となるように反射し得る作用を有する多重量子障壁構造を設けたことを特徴とする多重量子障壁ゲートトランジスタ。

IPC (3)：

H01L 29/804 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (2)：

H01L 29/80 A ,  H01L 29/80 H

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭61-158183
  
• 特開昭62-051208
  
• 特開平1-270275