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J-GLOBAL ID：200903069008902360

亜鉛含有金属酸化物半導体およびその製造方法

Inventor：
押切 光丈

About 押切 光丈


Applicant, Patent owner：
独立行政法人物質・材料研究機構

About 独立行政法人物質・材料研究機構


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004056848
Publication number (International publication number)：2005217385
Application date： Jan. 31, 2004
Publication date： Aug. 11, 2005
Summary：
【課題】 結晶構造中に、二価のZnに酸素4個が配位したZnO4四面体を含む、紫外線領域に光吸収帯が存在する金属酸化物半導体を利用した、光触媒、太陽電池、光検出素子あるいは発光素子の紫外線領域における機能波長範囲を、紫外線領域のみならず、より長波長側(例えば可視光線領域)にも拡張する。【解決手段】 結晶構造中に、二価のZnに酸素4個が配位したZnO4四面体を含む、紫外線領域に光吸収帯が存在する金属酸化物半導体の表面あるいは内部に存在するZnO4四面体の配位酸素元素を一つあるいは二つ取り除く。これにより、結晶構造中に、二価のZnに酸素4個が配位したZnO4四面体を含む、紫外線領域に光吸収帯が存在する金属酸化物半導体のバンドギャップを小さくし、光触媒、太陽電池、発光素子あるいは光検出素子の機能波長範囲を長波長側(例えば可視光線領域)に拡張する。【選択図】 なし
Claim (excerpt)：
紫外線領域に光吸収帯を有する半導体金属酸化物の結晶構造中に、二価の亜鉛元素が4個の酸素配位子で囲まれたZnO4四面体構造を有し、半導体金属酸化物の表面あるいは内部に、そのZnO4四面体から酸素原子1個あるいは2個が取り去られた、酸素原子が3配位したZnO3構造、あるいは2配位したZnO2構造が存在しており、前記金属酸化物半導体に比べて、バンドギャップが小さく、機能波長域が長波長領域に拡張されていることを特徴とする亜鉛含有金属酸化物半導体。
IPC (10)：
H01L31/04 ,  B01J23/06 ,  B01J35/02 ,  C01B3/04 ,  C01B13/02 ,  C01G9/02 ,  C01G19/00 ,  C01G23/00 ,  H01L21/363 ,  H01L31/10
FI (10)：
H01L31/04 E ,  B01J23/06 M ,  B01J35/02 J ,  C01B3/04 A ,  C01B13/02 B ,  C01G9/02 A ,  C01G19/00 A ,  C01G23/00 C ,  H01L21/363 ,  H01L31/10 A
F-Term (38)：
4G042BA08 ,  4G042BB04 ,  4G047CA05 ,  4G047CC03 ,  4G047CD07 ,  4G069BA48A ,  4G069BB02A ,  4G069BB04A ,  4G069BB04B ,  4G069BB06A ,  4G069BC22A ,  4G069BC29A ,  4G069BC32A ,  4G069BC33A ,  4G069BC35A ,  4G069BC35B ,  4G069BC50A ,  4G069BC68A ,  4G069BC69A ,  4G069BC70A ,  4G069BC74A ,  4G069BC75A ,  4G069CC33 ,  4G069DA05 ,  4G069EC22X ,  4G069EC22Y ,  4G069EC24 ,  5F049MB01 ,  5F049WA03 ,  5F049WA05 ,  5F051AA09 ,  5F103AA01 ,  5F103DD30 ,  5F103LL02 ,  5F103LL04 ,  5F103PP03 ,  5H027BA11 ,  5H027BC01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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