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J-GLOBAL ID：200903069015614922
導電性表面のメツキ方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
三俣 弘文
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992097421
Publication number (International publication number)：1993112888
Application date： Mar. 25, 1992
Publication date： May. 07, 1993
Summary：
【要約】【目的】 金属基板(特に、ニッケル、クロム、青銅およびスチールなどのような不動態化され易い金属基板)に引き続いてメッキされるパラジウムまたはパラジウム合金メッキ膜の密着性と多孔性を改善する酸パラジウムストライク浴を提供する。【要約】低速メッキおよび高速メッキの両方に有用な本発明の酸パラジウムストライク浴は、有機ジアミン類から選択される錯生成剤を含有し、2.0〜6.0、好ましくは、3.7〜4.1の範囲内のpH値を示す。銅のような易腐食性基板に使用する場合、パラジウムストライクメッキ膜は、その後の主メッキ浴におけるメッキ液の侵食から基板を保護し、かつ、主メッキ浴の汚染を防止する。
Claim (excerpt)：
導電性表面上のパラジウムストライク層と、パラジウムニッケル合金、パラジウム、金、ロジウム、ルテニウム、白金、銀およびこれらの合金類からなる群から選択される金属からなる被覆層との少なくとも2層を導電性表面に連続的に電気メッキすることからなり、前記パラジウムストライク層は、パラジウムを0.1〜30グラム/リットルと錯生成剤を1〜250グラム/リットル含有する水性浴からメッキされ、前記水性浴は2〜6の範囲内のpH値を示し、前記錯生成剤は、1,2-ジアミノブタン、1,2-ジアミノプロパン、1,2-ジアミノ-2-メチルプロパン、1,2-ジアミノペンタン、1,2-ジアミノヘキサン、2,3-ジアミノブタン、2,3-ジアミノペンタン、2,3-ジアミノヘキサン、3,4-ジアミノヘキサンおよび隣接する第1、第2,または第3アミノ基を有する高級脂肪族ジアミン類からなる群から選択される有機ジアミンからなる、ことを特徴とする導電性表面のメッキ方法。
IPC (4)：
C25D 3/52
, C25D 3/50 102
, C25D 3/56
, C25D 5/10
