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J-GLOBAL ID：200903069017411867

ダイヤモンド状炭素膜およびその作製方法

Inventor： 山崎 舜平 ,  林 茂則
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998018049
Publication number (International publication number)：1998291895
Application date： Feb. 14, 1991
Publication date： Nov. 04, 1998
Summary：

【要約】【課題】 硬度、透光性等の特性の優れたダイヤモンド状炭素膜を得る。【解決手段】 プラズマCVD法を用いて炭素系気体とシリコン系気体からダイヤモンド状炭素膜を形成することによって、SP3 結合がSP2 結合より多く存在し、硬度、透光性等の特性の優れたダイヤモンド状炭素膜を得ることができる。

Claim (excerpt)：

Siが添加されたダイヤモンド状炭素膜であって、前記ダイヤモンド状炭素膜中の炭素はSP3 結合がSP2 結合より多く存在していることを特徴とするダイヤモンド状炭素膜。

IPC (5)：

C30B 29/04 ,  C08J 7/00 306 ,  C08J 7/04 ,  C23C 16/30 ,  C08L101:00

FI (5)：

C30B 29/04 P ,  C30B 29/04 R ,  C08J 7/00 306 ,  C08J 7/04 M ,  C23C 16/30

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭62-157602
  
• 特開昭63-011671
  
• 特開平1-245562
  
• 特開昭60-195092