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J-GLOBAL ID：200903069020795030

光変調装置及びその製造方法

Inventor： 池田 達郎
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991321957
Publication number (International publication number)：1993158085
Application date： Dec. 05, 1991
Publication date： Jun. 25, 1993
Summary：

【要約】【目的】MQW層の面方向に電界を印加する構造を有する横電界型の光変調装置に関し、横モード制御を容易に行うことを目的とする。【構成】量子井戸層3の面に沿った横方向にpinip接合、またはnipin接合を形成し、それぞれのpin接合部分に逆バイアス電圧を印加するようにするか、または、一導電型領域27と反対導電型領域28にある量子井戸層24を、それらの間の真正領域にある量子井戸層24に対して段違いに形成することを含み構成する。

Claim (excerpt)：

半絶縁性基板(1)の上に積層された第一のクラッド層(2)と、前記第一のクラッド層(2)の上に形成された量子井戸層(3)と、前記量子井戸層(3)の上に積層された第二のクラッド層(4)と、前記第二のクラッド層(4)表面から第一のクラッド層(2)に到る深さに形成された一導電型領域(5)と、前記一導電型領域(5)の両側に真性領域をおいて形成され、かつ前記第一のクラッド層(4)表面から第二のクラッド層(2)に到る深さの反対導電型領域(8,9)と、前記一導電型領域(5)と前記反対導電型領域(8,9)の間に逆バイアス電圧を印加可能な電源とを有することを特徴とする光変調装置。

IPC (3)：

G02F 1/35 ,  H01L 27/15 ,  H01S 3/18