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J-GLOBAL ID：200903069031050052
半導体装置の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
青木 朗 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992044767
Publication number (International publication number)：1993243213
Application date： Mar. 02, 1992
Publication date： Sep. 21, 1993
Summary：
【要約】【目的】 本発明は、半導体装置における絶縁膜の形成方法の改良に関し、TEOS系の酸化膜の優れたステップカバレージを生かしながら、同時にSiH4 系膜と同等の耐水性・気密性を確保した絶縁膜を形成することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】 半導体基板上に、プラズマCVD法によりテトラエチルオルソシリケート(TEOS)とO2 とを用いて酸化膜を形成する際に、更にNH3 を用いることにより、窒素を含有する酸化膜を形成するように構成する。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に、プラズマCVD法によりテトラエチルオルソシリケート(TEOS)とO2 とを用いて酸化膜を形成する際に、更にNH3を用いることにより、窒素を含有する酸化膜を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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