Pat

J-GLOBAL ID：200903069036454100

半導体レーザダイオード及びその製造方法

Inventor： 安 亨 洙 ,  盧 敏 秀 ,  施 相 基 ,  崔 原 澤 ,  林 珍 赫 ,  徐 周▲オク▼ ,  梁 ▲民▼
Applicant, Patent owner： 株式会社金星社
Agent (1)： 佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993146826
Publication number (International publication number)：1994069599
Application date： May. 26, 1993
Publication date： Mar. 11, 1994
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 半導体レーザダイオードの電流注入溝を選択的な成長により形成する方法を提供することにある。【構成】 半導体基板21上のダブルヘテロ(double hetero)接合構造の活性層24を形成する段階と、活性層上に電流注入溝100を形成するために前記活性層上に電流制限層31を選択的に形成する段階と、および前記電流注入溝100および電流制限層31上に平坦な表面を有するクラッド層を形成する段階と、を備えることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

半導体基板上にダブルヘトロ接合構造の活性層を形成する段階と、活性層上に電流注入溝を形成するために前記活性層上に電流制限層を選択的に形成する段階と、前記電流注入溝および電流制限層上に平坦な表面を有するクラッド層を形成する段階とを備えることを特徴とする半導体レーザダイオードの製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平1-289184
  
• 特開昭60-157283
  
• 特開平1-268082
  
• 特開平3-209893