Pat

J-GLOBAL ID：200903069039867635

微小電界放出陰極及びディスプレイ装置

Inventor： 豊田 治
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 北野 好人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994042735
Publication number (International publication number)：1995254356
Application date： Mar. 14, 1994
Publication date： Oct. 03, 1995
Summary：

【要約】【目的】 電界電子放出を決定するエミッタティップ先端部分の電界集中が、先端部分の斜度やゲート電極開口部におけるゲート電極の下端部及び上端部の影響を受け難く、エミッタティップ高さがバラツキによっても電子放出特性の均一性を保つことの可能な微小電界放出陰極を提供する。【構成】 尖った頂部20を有するエミッタティップ2と、エミッタティップ2の頂部20を取り囲むゲート電極4とを有し、ゲート電極4に電位を印加することによりエミッタティップ2の頂部20から電子ビームが放出する微小電界放出陰極である。エミッタティップ2は、このエミッタティップ2が設けられる基板1より立ち上がる錐形状であり、ゲート電極4は、その厚さ方向内で少なくともエミッタティップ2の尖った頂部20の位置を含む高さにあるようにする。

Claim (excerpt)：

尖った頂部を有するエミッタティップと、前記エミッタティップの頂部を取り囲むゲート電極とを有し、前記ゲート電極に電位を印加することにより前記エミッタティップの頂部から電子ビームが放出する微小電界放出陰極において、前記エミッタティップは、このエミッタティップが設けられる基板より立ち上がる錐形状であり、前記ゲート電極は、その厚さ方向内で少なくとも前記エミッタティップの尖った頂部の位置を含む高さにあることを特徴とする微小電界放出陰極。

IPC (3)：

H01J 1/30 ,  H01J 31/12 ,  H01J 31/15