高い特性係数を有するインダクタを含む集積回路装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：二瓶正敬
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000118658
Publication number (International publication number)：2000353784
Application date： Apr. 19, 2000
Publication date： Dec. 19, 2000
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】高周波帯域用集積回路インダクスンスに関して漂遊キャパシタンスおよび漏れ抵抗の影響を低下させることによって、特性係数Qを改善する。【解決手段】集積回路を回路モデルとして見れば、回路の金属化レベルで形成されたインダクタLと、このインダクタの下の集積回路の基板内にある埋込み層(漂遊キャハシタンスCP及び漏れ抵抗Rp)とにより構成される。高周波域においてインダクタと埋込み層の間が動的応答で同電位となるように、基板内で漂遊キヤパシタンスCP1〜2に並列に作動周波数よりはるかに高い遷移周波数をもホロワ型トランジスタTに接続され、インダクタの機能を維持する。

Claim (excerpt)：

回路の金属化レベルで形成されたインダクタと、前記インダクタの下の集積回路の基板内にある埋込み層とにより構成される集積回路であって、前記集積回路が、インダクタを埋込み層に接続する接続手段を含み、インダクタと埋込み層の間が動的応答で同じ電位となるように構成されていることを特徴とする集積回路。

IPC (3)：

H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01F 27/00

FI (2)：

H01L 27/04 L , H01F 15/00 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

高電圧のプレーナ端部終端構造物とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-189751 Applicant：モトローラ・インコーポレイテッド
特開平3-285333
半導体集積回路装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-224637 Applicant：株式会社日立製作所

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