誘電体記憶装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：中村純之助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995264118
Publication number (International publication number)：1997107079
Application date： Oct. 12, 1995
Publication date： Apr. 22, 1997
Summary：

【要約】【課題】誘電体記憶装置の微細化、高集積化に対応可能な構造の誘電体記憶装置を提供する【解決手段】少なくとも誘電体膜を用いて構成される誘電体記憶装置において、上記誘電体膜として、0°Cから80°Cの温度範囲において強誘電相転移点を持つ誘電体薄膜を備えた誘電体記憶装置とする。このように構成することにより、記憶装置の使用温度範囲で比誘電率が極大となるため、誘電体膜の薄膜化による誘電率低下が生じても、十分に電荷の蓄積を可能とし、素子の微細化、高集積化に対応することができる。

Claim (excerpt)：

少なくとも誘電体膜を用いて構成される誘電体記憶装置において、上記誘電体膜として、0°Cから80°Cの温度範囲において強誘電相転移点を持つ誘電体薄膜を備えたことを特徴とする誘電体記憶装置。

IPC (8)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 27/105 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (4)：

H01L 27/10 651 , H01L 27/04 C , H01L 27/10 441 , H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体集積回路用容量素子及び製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-015446 Applicant：株式会社日立製作所
強誘電体トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-250196 Applicant：株式会社日立製作所
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-267183 Applicant：株式会社日立製作所

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