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J-GLOBAL ID：200903069067855502

DRAM用キャパシタセル

Inventor： 秋山 善一
Applicant, Patent owner： 株式会社リコー
Agent (1)： 友松 英爾 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994129609
Publication number (International publication number)：1995321229
Application date： May. 19, 1994
Publication date： Dec. 08, 1995
Summary：

【要約】【目的】 本発明はギガビット世代DRAMの抱える従来の問題を克服することを目的とするものであり、その対策として従来にないキャパシタセル構造を提案し、さらに高誘電率材料である強誘電体薄膜を採用し、その目的を具現化させるものである。【構成】 電荷蓄積機能薄膜と対向電極からなり、該対向電極が前記薄膜に基板と平行な向きに電界方向を印加することができるように配置されていることを特徴とするダイナミックRAM(以下、DRAMという)用キャパシタセル。

Claim (excerpt)：

電荷蓄積機能薄膜と対向電極からなり、該対向電極が前記薄膜に基板と平行な向きに電界方向を印加することができるように配置されていることを特徴とするダイナミックRAM(以下、DRAMという)用キャパシタセル。

IPC (5)：

H01L 21/8242 ,  H01L 27/108 ,  C01G 29/00 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (2)：

H01L 27/10 325 J ,  H01L 27/04 C