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J-GLOBAL ID：200903069072291900

半導体レーザ発光装置

Inventor： 北村 智之 ,  浜口 雄一
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000042338
Publication number (International publication number)：2001230493
Application date： Feb. 21, 2000
Publication date： Aug. 24, 2001
Summary：

【要約】【課題】 多重横モードレーザ光を発振する半導体レーザ発光装置の近視野像の安定化を図って、応用分野の拡大を図る。【解決手段】 多重横モードレーザ光を発振するもので活性層16上にストライプ状に形成されたクラッド層18を備えた半導体レーザ発光装置1において、該半導体レーザ発光装置1の電流注入領域21はその内部と外部とで光の吸収損失差を有し、前記電流注入領域21外のクラッド層18は0.7μm以下の厚さに形成されているものである。

Claim (excerpt)：

多重横モードレーザ光を発振するもので活性層上にストライプ状に形成されたクラッド層を備えた半導体レーザ発光装置において、該半導体レーザ発光装置の電流注入領域はその内部と外部とで光の吸収損失差を有し、前記電流注入領域外のクラッド層は0.7μm以下の厚さに形成されていることを特徴とする半導体レーザ発光装置。

F-Term (7)：

5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073CA05 ,  5F073CB02 ,  5F073DA13 ,  5F073DA14 ,  5F073EA18