Pat

J-GLOBAL ID：200903069074412063

薄膜製造方法

Inventor： 杉山 直治 ,  臼田 宏治
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 大胡 典夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992138253
Publication number (International publication number)：1993335248
Application date： May. 29, 1992
Publication date： Dec. 17, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明は蒸気圧の低い気体を用いて薄膜を生成する技術を提供する事を目的とする。【構成】 真空容器内に少なくとも一種類の原料気体を導入し、かつその原料気体の任意の一つの分圧が室温における蒸気圧の百万分の一以上となる条件のもとで減圧気相成長法により薄膜を形成するに際し、前記真空容器を構成する内壁面および前記真空容器への原料気体導入路の内壁を前記原料気体の蒸気圧が真空のもとでの分圧の百万倍以上になる温度に加熱して行うことを特徴とする薄膜製造方法にある。【効果】 本発明によれば、高真空容器内で蒸気圧の低い気体の分圧を再現成よく制御できるため、良質な薄膜を制御成よく得る事ができる。

Claim (excerpt)：

真空容器内に少なくとも一種類の原料気体を導入し、かつその原料気体の任意の一つの分圧が室温における蒸気圧の10-6以上となる条件のもとで減圧気相成長法により薄膜を形成するに際し、前記真空容器を構成する内壁面および前記真空器への原料気体導入路の内壁を前記原料気体の蒸気圧が真空のもとでの分圧の106倍以上になる温度に加熱して行うことを特徴とする薄膜製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/31