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J-GLOBAL ID：200903069088448532

薄膜電界効果型トランジスタおよびその製造方法

Inventor： 西田 真一
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 内原 晋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991189082
Publication number (International publication number)：1993036720
Application date： Jul. 30, 1991
Publication date： Feb. 12, 1993
Summary：

【要約】【構成】本発明の薄膜電界効果型トランジスタでは、ゲート電極2に対してn型非晶質シリコン1が隣接して下方に配置されている。これらの2層は同一パターンで形成した後、ゲート電極2のみをサイドエッチさせておく。この構造はTFTの方面露光に用いる。ソース領域5,ドレイン領域6はイオン注入により形成する。さらにソース・ドレイン電極は非晶質シリコン表面に形成するクロムシリサイド層12-1,12-2を利用する。クロムシリサイド層とノンドープ非晶質シリコン薄膜4は直接コンタクトするとOFF電流が増大する。このため2つの領域を明確に区別するため、これを制限する第1,第2のチャネル保護膜10a,11aは2回にわたって形成する。この形成に1と2をマスクとして用いた2回の背面露光を用いることにより、非常に制御性が良い。【効果】本発明からなるTFTは低寄生抵抗,低寄生容量でばらつきが少ない。

Claim (excerpt)：

絶縁性基板上に形成された所定形状の半導体膜と、前記半導体膜上に周辺部が一定寸法だけ後退した形状の金属膜からなるゲート電極と、前記半導体膜および金属膜を覆うゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された島状のノンドープシリコン薄膜と、前記ノンドープシリコン薄膜上に、前記ゲート電極と自己整合して設けられた第1のチャネル保護膜および前記半導体膜と自己整合して設けられた第2のチャネル保護膜と、前記第1のチャネル保護膜と自己整合し前記ノンドープシリコン薄膜に選択的に形成された1対の不純物拡散層からなるソース領域およびドレイン領域と、前記不純物拡散層の表面部に前記第2のチャネル保護膜と自己整合する金属シリサイド層とを有することを特徴とする薄膜電界効果型トランジスタ。

IPC (2)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784

FI (2)：

H01L 29/78 311 P ,  H01L 29/78 311 G