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J-GLOBAL ID：200903069091877100

半導体製造装置

Inventor： 斉藤 聡 ,  中村 一世 ,  野中 一郎 ,  松田 謙三
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 野河 信太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992067445
Publication number (International publication number)：1993275350
Application date： Mar. 25, 1992
Publication date： Oct. 22, 1993
Summary：

【要約】【構成】 密閉可能なチャンバ内に試料保持装置が配置された半導体製造装置であって、前記試料保持装置と対向する位置に、前記試料保持装置を被覆するようにメッシュ状の電極が配設された半導体製造装置。【効果】 メッシュ状の電極に電圧を印加することにより、SiO2 、SiN等の絶縁性のパーティクルに対しては、静電誘導によるクーロン力によって絶縁性のパーティクルを電極に吸着して集塵することができる。また、Ti、TiN、TiW又はW等の剥離した膜やエッチング時の反応生成物等の導電性のパーティクルに対しては、分極によるクーロン力によって導電性のパーティクルを電極に吸着して集塵することができる。真空中に発生するパーティクルがウェハに付着するのを防止することができ、ウェハのデバイスへの歩留りを飛躍的に向上させることができる。

Claim (excerpt)：

密閉可能なチャンバ内に試料保持装置が配置された半導体製造装置であって、前記試料保持装置と対向する位置に、前記試料保持装置を被覆するようにメッシュ状の電極が配設されていることを特徴とする半導体製造装置。

IPC (4)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/48 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/302