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J-GLOBAL ID：200903069096110940

半導体装置用パッケージおよび半導体装置

Inventor： 飯島 隆廣 ,  六川 昭雄 ,  佐藤 健 ,  小山 鉄也
Applicant, Patent owner： 新光電気工業株式会社
Agent (1)： 綿貫 隆夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996121351
Publication number (International publication number)：1997306945
Application date： May. 16, 1996
Publication date： Nov. 28, 1997
Summary：

【要約】【課題】 リード部が好適な強度と柔軟性を備えて電極端子に確実にボンディングすることができると共に、製造コストを低減できる。【解決手段】 複数の電極端子14が設けられた半導体チップ30の面に接着される絶縁性フィルム16と、絶縁性フィルム16の外面または内面に設けられ、電極端子14に接合されるリード部12、配線パターン部28、およびはんだボール24が接続されるランド部22が形成された導体層20とを備え、リード部12が、絶縁性フィルム16に形成された透孔26を跨ぐように支持された状態から、ボンディングツールによって突き切られて電極端子14に接合される半導体装置用パッケージにおいて、導体層20が銅または銅合金からなり、リード部12の少なくとも電極端子14に接合される部位に、ニッケルめっきおよび/またはパラジウムめっきが下地めっき12bとして施され、該下地めっき12bの上に金めっき12cが施されている。

Claim (excerpt)：

複数の電極端子が設けられた半導体チップの面に接着される絶縁性フィルムと、該絶縁性フィルムの外面または内面に設けられ、前記電極端子に接合されるリード部、配線パターン部、および外部接続端子が接続されるランド部が形成された導体層とを備え、前記リード部が、前記絶縁性フィルムに形成された透孔を跨ぐように支持された状態から、ボンディングツールによって突き切られて前記電極端子に接合される半導体装置用パッケージにおいて、前記導体層が銅または銅合金からなり、前記リード部の少なくとも前記電極端子に接合される部位に、ニッケルめっきおよび/またはパラジウムめっきが下地めっきとして施され、該下地めっきの上に金めっきが施されていることを特徴とする半導体装置用パッケージ。

IPC (3)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60 ,  H01L 23/50

FI (3)：

H01L 21/60 311 R ,  H01L 21/60 311 W ,  H01L 23/50 D