Pat

J-GLOBAL ID：200903069102685291

SiC半導体における酸化膜形成方法およびSiC半導体装置

Inventor： 塩見 弘 ,  木本 恒暢 ,  松波 弘之
Applicant, Patent owner： 株式会社シクスオン ,  関西電力株式会社 ,  住友電気工業株式会社 ,  三菱商事株式会社
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001060354
Publication number (International publication number)：2002261095
Application date： Mar. 05, 2001
Publication date： Sep. 13, 2002
Summary：

【要約】【課題】 短時間且つ低温で熱酸化膜を形成することができるSiC半導体における酸化膜形成方法、およびSiC半導体装置を提供すること。【解決手段】 本発明のSiC半導体における酸化膜形成方法は、4H型のSiC半導体層30に酸化膜40を形成する方法であって、SiC半導体層30の{03-38}面30a、またはこの面から10°以内のオフ角を有する面に対して熱酸化処理を行うことで、酸化膜40を形成することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

4H型のSiC半導体層に酸化膜を形成する方法であって、前記SiC半導体層の{03-38}面、またはこの面から10°以内のオフ角を有する面に対して熱酸化処理を行うことで、前記酸化膜を形成することを特徴とするSiC半導体における酸化膜形成方法。

IPC (5)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/283 ,  H01L 21/76 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/78

FI (6)：

H01L 21/316 S ,  H01L 21/283 E ,  H01L 21/76 M ,  H01L 21/94 A ,  H01L 29/48 D ,  H01L 29/78 301 Q

F-Term (54)：

4M104AA10 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104CC03 ,  4M104EE16 ,  4M104FF35 ,  4M104GG03 ,  4M104GG06 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104HH20 ,  4M108AA07 ,  4M108AB04 ,  4M108AB14 ,  4M108AC20 ,  4M108AC21 ,  4M108AD01 ,  4M108AD05 ,  4M108AD11 ,  4M108AD13 ,  4M108AD15 ,  5F032AA13 ,  5F032AA35 ,  5F032AA45 ,  5F032CA05 ,  5F032CA09 ,  5F032CA15 ,  5F032CA17 ,  5F032CA20 ,  5F032DA12 ,  5F032DA23 ,  5F032DA25 ,  5F032DA53 ,  5F058BA01 ,  5F058BA02 ,  5F058BB01 ,  5F058BC02 ,  5F058BF56 ,  5F058BF58 ,  5F058BF59 ,  5F058BF60 ,  5F058BF62 ,  5F058BF63 ,  5F058BJ01 ,  5F140AA24 ,  5F140AA40 ,  5F140AB06 ,  5F140AB09 ,  5F140BA02 ,  5F140BA20 ,  5F140BC12 ,  5F140BD05 ,  5F140BE07 ,  5F140CB01