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J-GLOBAL ID：200903069102685291

SiC半導体における酸化膜形成方法およびSiC半導体装置

Inventor： 塩見 弘 ,  木本 恒暢 ,  松波 弘之
Applicant, Patent owner： 株式会社シクスオン ,  関西電力株式会社 ,  住友電気工業株式会社 ,  三菱商事株式会社
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001060354
Publication number (International publication number)：2002261095
Application date： Mar. 05, 2001
Publication date： Sep. 13, 2002
Summary：

【要約】【課題】 短時間且つ低温で熱酸化膜を形成することができるSiC半導体における酸化膜形成方法、およびSiC半導体装置を提供すること。【解決手段】 本発明のSiC半導体における酸化膜形成方法は、4H型のSiC半導体層30に酸化膜40を形成する方法であって、SiC半導体層30の{03-38}面30a、またはこの面から10°以内のオフ角を有する面に対して熱酸化処理を行うことで、酸化膜40を形成することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

4H型のSiC半導体層に酸化膜を形成する方法であって、前記SiC半導体層の{03-38}面、またはこの面から10°以内のオフ角を有する面に対して熱酸化処理を行うことで、前記酸化膜を形成することを特徴とするSiC半導体における酸化膜形成方法。

IPC (5)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/283 ,  H01L 21/76 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/78

FI (6)：

H01L 21/316 S ,  H01L 21/283 E ,  H01L 21/76 M ,  H01L 21/94 A ,  H01L 29/48 D ,  H01L 29/78 301 Q

F-Term (54)：

4M104AA10 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104CC03 ,  4M104EE16 ,  4M104FF35 ,  4M104GG03 ,  4M104GG06 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104HH20 ,  4M108AA07 ,  4M108AB04 ,  4M108AB14 ,  4M108AC20 ,  4M108AC21 ,  4M108AD01 ,  4M108AD05 ,  4M108AD11 ,  4M108AD13 ,  4M108AD15 ,  5F032AA13 ,  5F032AA35 ,  5F032AA45 ,  5F032CA05 ,  5F032CA09 ,  5F032CA15 ,  5F032CA17 ,  5F032CA20 ,  5F032DA12 ,  5F032DA23 ,  5F032DA25 ,  5F032DA53 ,  5F058BA01 ,  5F058BA02 ,  5F058BB01 ,  5F058BC02 ,  5F058BF56 ,  5F058BF58 ,  5F058BF59 ,  5F058BF60 ,  5F058BF62 ,  5F058BF63 ,  5F058BJ01 ,  5F140AA24 ,  5F140AA40 ,  5F140AB06 ,  5F140AB09 ,  5F140BA02 ,  5F140BA20 ,  5F140BC12 ,  5F140BD05 ,  5F140BE07 ,  5F140CB01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

• 化合物膜の形成方法及び半導体素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-099224   Applicant：三洋電機株式会社
• 炭化珪素半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-310865   Applicant：株式会社デンソー
• SiCウエハ、SiC半導体デバイス、および、SiCウエハの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-127471   Applicant：松波弘之, 木本恒暢, 株式会社シクスオン, 関西電力株式会社, 三菱商事株式会社, 住友電気工業株式会社
• 炭化けい素半導体装置の熱酸化膜形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-350329   Applicant：富士電機株式会社
• 電界効果トランジスタ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-216930   Applicant：株式会社日立製作所
• MOSデバイス、およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-086823   Applicant：三洋電機株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-320092   Applicant：工業技術院長

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• High quality 4H-SiC grown on various substrate orientations