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J-GLOBAL ID：200903069102851396

反射防止膜形成組成物及び反射防止膜の製造方法

Inventor： 杉田 光 ,  田中 正人 ,  能村 仲篤 ,  杉江 紀彦 ,  下川 努 ,  橋口 裕一 ,  岡庭 求樹 ,  今野 圭二
Applicant, Patent owner： JSR株式会社
Agent (3)： 渡邉 一平 ,  木川 幸治 ,  樋口 武
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003319793
Publication number (International publication number)：2005084621
Application date： Sep. 11, 2003
Publication date： Mar. 31, 2005
Summary：

【課題】解像度、精度等に優れたレジストパターンをもたらすことができる反射防止膜形成組成物及び反射防止膜の製造方法を提供する。【解決手段】式(1):[式中、A及びDは、水素又は炭化水素基を示し、B及びCは水素、炭化水素基、ハロゲン、ハロゲンで置換された炭化水素基、-(CH2)nCOOR1、-(CH2)nCOR2、-(CH2)nOCOR3、-(CH2)CN、-(CH2)nCONR4R5、-(CH2)nOR6、-(CH2)R7、-(CH2)nM、又はBとCから構成された-CO-O-CO-、もしくは-CO-NR8-CO-を示す。]で示される誘導体の少なくとも1種の開環重合体又は該誘導体と他の共重合性モノマーとの共重合体である重合体(a)、及び少なくとも1種の芳香環構造を有する重合体(b)を含有する反射防止膜形成組成物及びこれを用いた反射防止膜の製造方法を提供する。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

式(1):

IPC (5)：

G03F7/11 ,  C09D165/00 ,  C09K3/00 ,  G03F7/004 ,  H01L21/027

FI (5)：

G03F7/11 503 ,  C09D165/00 ,  C09K3/00 R ,  G03F7/004 501 ,  H01L21/30 574

F-Term (18)：

2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025DA34 ,  4J038CB002 ,  4J038CC002 ,  4J038CE051 ,  4J038CF021 ,  4J038CG012 ,  4J038CG141 ,  4J038CG171 ,  4J038CM021 ,  4J038GA02 ,  4J038GA09 ,  4J038GA12 ,  4J038KA06 ,  4J038KA16 ,  4J038NA19 ,  5F046PA07

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

• 特開昭59-93448号公報
  
• 反射防止膜形成組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-325670   Applicant：ジェイエスアール株式会社
• 反射防止膜形成組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-220429   Applicant：ジェイエスアール株式会社
• 反射防止膜形成組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-344388   Applicant：ジェイエスアール株式会社
• 多層レジストプロセス用下層膜形成組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-097348   Applicant：ジェイエスアール株式会社