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J-GLOBAL ID：200903069108735258

半導体基体およびその製造方法とその半導体基体を用いた半導体装置

Inventor： 吉川 進 ,  須藤 章
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991253899
Publication number (International publication number)：1993094928
Application date： Oct. 01, 1991
Publication date： Apr. 16, 1993
Summary：

【要約】【目的】 この発明は、異なる導電型の能動素子それぞれの性能を同時に最大限に引き出せるとともに、能動素子を装置に最適な特性をもって形成することもできる半導体基体およびその製造方法と、その基体を用いた半導体装置を提供しようとするものである。【構成】 能動素子(26,28) を形成する半導体基体(20)は、第1の面方位を有する部分(10)と第1と面方位と異なる第2の面方位を有する部分(12)とをそれぞれ有している。この基体(20)を用いた半導体装置は、その装置を構成する能動素子(26,28) を第1の面方位を有する部分(10)および第2の面方位を有する部分(12)それぞれに形成するようにしている。この際、能動素子(26,28) は、その特性やその性能が最適化される面方位の部分(10,20) を選んで形成される。

Claim (excerpt)：

第1の面方位を有する第1の素子形成面と、前記第1の面方位と異なる第2の面方位を有し、前記第1の素子形成面と互いにほぼ平行な少なくとも1つの第2の素子形成面と、を具備することを特徴とする半導体基体。

IPC (2)：

H01L 21/02 ,  H01L 27/092

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭63-102353
  
• 特開昭63-228662
  
• 特開平3-284871