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J-GLOBAL ID：200903069127674073
プラズマ処理装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993232804
Publication number (International publication number)：1995094496
Application date： Sep. 20, 1993
Publication date： Apr. 07, 1995
Summary：
【要約】【目的】静電吸着力に見合った、冷却に必要な適正な冷却ガス圧力を確保できる最小限の接触面積とし、載置台からウェハへの異物転写を少なくし、余剰ガスを利用して、更にウェハへの異物付着、装置の汚れを防止するプラズマ処理装置。【構成】プラズマ処理室10にウェハ載置台6を設け、載置台は静電吸着によってウェハを支持し、ウェハと載置台の間には冷却ガスを導入して熱伝達を行う時、冷却に必要なガス圧力を確保しながら、ウェハと載置台の接触面積を、ウェハ面積の1/2以下にする。【効果】ウェハへの異物の付着を防止し、載置台の機構部へのプラズマ処理による反応生成物の付着堆積を防止して、経時変化を少なくし、長期間安定した処理ができる。
Claim (excerpt)：
真空処理室と、ガス導入手段と、真空処理室にウェハを載置する手段を有するプラズマ処理装置で、ウェハを載置する載置台がウェハを静電吸着によって保持し、冷却ガスをウェハと載置台の間に導入してウェハの温度制御を行うプラズマ処理装置において、前記載置台はウェハと載置台の接触面積(静電吸着面積)がウェハの面積の1/2以下であり、且つウェハ外周の他にウェハ外周とウェハ中心の間に少なくとも略1周の接触部を有し、接触部以外は冷却ガスの導入時の拡散を早めるためにギャップを与えられており、冷却ガスはウェハ周辺部から洩れ出る以外に、載置台裏面に洩れ出る通路を有することを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (4)：
H01L 21/31
, C30B 33/12
, H01L 21/3065
, H01L 21/68
H01L 21/31 C
, H01L 21/302 C
