Pat

J-GLOBAL ID：200903069145150480

薄膜トランジスタおよびその製造方法

Inventor： 山田 裕康
Applicant, Patent owner： カシオ計算機株式会社
Agent (1)： 杉村 次郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992331177
Publication number (International publication number)：1994163589
Application date： Nov. 18, 1992
Publication date： Jun. 10, 1994
Summary：

【要約】【目的】 アモルファスシリコン薄膜を結晶化してなるポリシリコン薄膜の結晶粒径を大きくする。【構成】 絶縁基板1の上面の3つの空洞部5の部分に形成したメタル層を絶縁膜3に形成したエッチング用孔4を介してエッチングすることにより、絶縁基板1と絶縁膜3との間に3つの空洞部5を形成する。次に、絶縁膜3の上面に半導体薄膜(アモルファスシリコン薄膜)7を形成し、エキシマレーザを照射して半導体薄膜7をアニールする。この場合、レーザエネルギを吸収した半導体薄膜7から絶縁基板1への放熱を空洞部5の断熱作用によって抑制することができ、このため一度溶融したシリコンの凝固速度を遅くすることができ、ひいては結晶粒径を大きくすることができる。また、3つの空洞部5間に存在する絶縁膜3によって空洞部5上に存在する絶縁膜3を支持する支持部6が形成され、空洞部5上に存在する絶縁膜3の機械的強度を高めている。

Claim (excerpt)：

下方に断熱用の空洞部が形成された絶縁膜上に活性層となる半導体薄膜を設け、且つ前記空洞部内に前記絶縁膜を支持する支持部を設けたことを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (4)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/76