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J-GLOBAL ID：200903069156038100
半導体発光装置および半導体装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
杉浦 正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997218622
Publication number (International publication number)：1999068237
Application date： Aug. 13, 1997
Publication date： Mar. 09, 1999
Summary：
【要約】【課題】 窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体発光素子またはキャリア走行素子からの発熱による半導体発光素子またはキャリア走行素子自体およびモールド材料の劣化が極めて少なく、信頼性に優れた半導体発光装置および半導体装置を提供する。【解決手段】 GaNなどの窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体発光素子またはキャリア走行素子がモールドされた半導体発光装置および半導体装置において、SiC、III族元素の窒化物、カルコパイライト型結晶構造を有する化合物半導体またはダイアモンドからなるフィラーを樹脂に添加したモールド材料25を用いる。導電性のフィラーを用いる場合には、その表面に絶縁膜を形成しておく。ワイヤーボンディングなどを行った半導体発光素子またはキャリア走行素子などの表面に絶縁膜を形成した後にモールドを行うことにより、半導体発光素子またはキャリア走行素子とモールド材料25との間に絶縁膜を形成してもよい。
Claim (excerpt)：
窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体発光素子がモールドされた半導体発光装置において、樹脂にSiCからなるフィラーが添加されたモールド材料を用いたことを特徴とする半導体発光装置。
IPC (2)：
FI (2)：
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