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J-GLOBAL ID:200903069160017835

レーザー光線硬化型レジストを使用したパターン形成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995265582
Publication number (International publication number):1997106080
Application date: Oct. 13, 1995
Publication date: Apr. 22, 1997
Summary:
【要約】【課題】 レジストを直接描画する方法において、レジストの硬化に伴う収縮応力が緩和でき、露光後短時間のうちにレジストの露光部の硬化度を一定とでき、現像性をバラツキなく優れたものとできる方法を開発する。【解決手段】 (1)レジスト層及び該レジスト層上に必要に応じてカバーコート層を形成した基板のレジスト層にレーザー光線を直接描画法によりパターン状に照射してレジスト層をパターン状に硬化させる工程、(2)硬化したレジスト層を有する基板を50〜160°Cの温度で10秒間〜30分間加熱する工程、及び(3)加熱処理したレジスト層を現像してレジストパターンを形成する工程、を順次行うレジストパターン形成方法、及びこのレジストパターンを形成した基板に、エッチング及び残存レジスト層の除去を行う回路パターン形成方法。
Claim (excerpt):
(1)レーザー光線の照射によって硬化するレジスト層及び該レジスト層上に必要に応じてカバーコート層を形成してなる基板のレジスト層にレーザー光線を直接描画法によりパターン状に照射してレジスト層をパターン状に硬化させる工程、(2)パターン状に硬化したレジスト層を有する基板を、50〜160°Cの温度で10秒間〜30分間加熱処理する工程、及び(3)加熱処理したレジスト層を現像してレジストパターンを形成する工程、を順次行うことを特徴とするレジストパターン形成方法。
IPC (7):
G03F 7/38 511 ,  G03F 7/038 505 ,  G03F 7/20 505 ,  G03F 7/30 ,  G03F 7/40 521 ,  G03F 7/42 ,  H05K 3/06
FI (7):
G03F 7/38 511 ,  G03F 7/038 505 ,  G03F 7/20 505 ,  G03F 7/30 ,  G03F 7/40 521 ,  G03F 7/42 ,  H05K 3/06 E
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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