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J-GLOBAL ID：200903069177690282
ダイヤモンドの選択形成法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
福村 直樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993155840
Publication number (International publication number)：1995010690
Application date： Jun. 25, 1993
Publication date： Jan. 13, 1995
Summary：
【要約】【目的】 この発明は、高性能な電子デバイス等の電子材料をはじめとする広い分野に好適なダイヤモンドを所望の形状に、効率よくかつ経済的に、しかもダイヤモンド粒子による基板の傷付け処理等の煩雑な工程を行なうことなく、短時間で再現性よく選択的に製造することができる、ダイヤモンドの選択形成法を提供することを目的とする。【構成】 この発明は、基板の表面に炭素化合物の薄膜を被覆し、ダイヤモンド粒子を0.001〜10重量%含有するレジスト材料によるパターンを形成し、非パターン部に残留するダイヤモンド粒子を超音波洗浄により除去した後、気相法により前記基板の表面にダイヤモンド形成を行なうことを特徴とするダイヤモンドの選択形成法である。
Claim (excerpt)：
基板の表面に炭素化合物の薄膜を被覆し、前記薄膜上にダイヤモンド粒子を0.001〜10重量%含有するレジスト材料によるパターンを形成し、非パターン部に残留するダイヤモンド粒子を除去した後、気相法により前記基板の表面にダイヤモンド形成を行なうことを特徴とするダイヤモンドの選択形成法。
IPC (2)：
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