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J-GLOBAL ID:200903069179843361
熱電素子及び熱電装置
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999279766
Publication number (International publication number):2001102645
Application date: Sep. 30, 1999
Publication date: Apr. 13, 2001
Summary:
【要約】【課題】 熱電素子の性能を維持したまま、半田成分の拡散を防止すること【解決手段】 熱電半導体素子50、60の半田80との接触面50a、50b、60a、60bに厚さ7μm以上のニッケルメッキ層70を形成する。ニッケルメッキ層の厚さを7μm以上とすることにより、ニッケルメッキ層表面のピンホールの発生が抑えられる。このためピンホールを通って接合部材の成分が熱電素子内に拡散することを極力防止できる。
Claim (excerpt):
表面に厚さ7μm以上のニッケルメッキ層が形成された熱電素子。
IPC (2):
FI (2):
H01L 35/32 A
, H01L 35/08
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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特開平4-249385
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熱電素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-178989
Applicant:セイコー電子工業株式会社
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熱電素子、及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-036180
Applicant:セイコーインスツルメンツ株式会社, 株式会社エスアイアイ・アールディセンター
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ペルチエクーラおよび半導体レーザモジュール
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-054004
Applicant:日本電気株式会社
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特開平4-023368
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