希土類金属錯体並びにそれを用いた波長変換材料

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：重野剛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009054988
Publication number (International publication number)：2009242385
Application date： Mar. 09, 2009
Publication date： Oct. 22, 2009
Summary：

【課題】発光量子収率に優れ、発光波長に特徴を持ち、しかも安価な原料から製造することができる希土類金属錯体およびその製造方法、並びに該希土類金属錯体を用いた波長変換材料を提供する。【解決手段】同一分子内に3以上のホスフィンオキシドを有する配位子が、中心金属である希土類金属に三座配位していることを特徴とする希土類金属錯体。この希土類金属錯体を含むことを特徴とする波長変換材料。同一分子内に3以上のホスフィンオキシドを有する配位子を先に中心金属に三座配位させ、その後に別の配位子を配位させることを特徴とする希土類金属錯体の製造方法。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

同一分子内に3以上のホスフィンオキシドを有する配位子が、中心金属である希土類金属に三座配位していることを特徴とする希土類金属錯体。

IPC (2)：

C07F 9/53 , C09K 11/06

FI (2)：

C07F9/53 , C09K11/06

F-Term (14)：

4H048AA01 , 4H048AA02 , 4H048AA03 , 4H048AB92 , 4H048VA11 , 4H048VA20 , 4H048VA45 , 4H048VA70 , 4H048VB10 , 4H050AA01 , 4H050AA02 , 4H050AA03 , 4H050AB91 , 4H050AC90

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

有機無機複合半導体材料、液状材料、有機発光素子、有機発光素子の製造方法、発光装置および電子機器
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-102556 Applicant：セイコーエプソン株式会社, 大電株式会社, 九州電力株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

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