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J-GLOBAL ID：200903069190608943

複数のトラップ膜を備える不揮発性メモリ素子

Inventor： 金 柱 亨 ,  韓 禎 希 ,  金 ▲てい▼ 雨 ,  閔 ヨセプ ,  金 ▲もん▼ 慶 ,  鄭 淵 碩
Applicant, Patent owner： 三星電子株式会社
Agent (3)： 八田 幹雄 ,  奈良 泰男 ,  宇谷 勝幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006039660
Publication number (International publication number)：2006229233
Application date： Feb. 16, 2006
Publication date： Aug. 31, 2006
Summary：

【課題】複数のトラップ膜を備える不揮発性メモリ素子を提供する。【解決手段】半導体基板205上に形成されたトンネル絶縁膜220と、トンネル絶縁膜220上に形成されたストレージノード250と、ストレージノード250上に形成されたブロッキング絶縁膜260と、ブロッキング絶縁膜260上に形成された制御ゲート電極270と、を備える不揮発性メモリ素子200であって、ストレージノード250は、トラップ密度が相異なる少なくとも2層のトラップ膜230,240を備え、ブロッキング絶縁膜260は、酸化ケイ素膜よりも高い誘電率を有する。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成されたトンネル絶縁膜と、 前記トンネル絶縁膜上に形成されたストレージノードと、 前記ストレージノード上に形成されたブロッキング絶縁膜と、 前記ブロッキング絶縁膜上に形成された制御ゲート電極と、を備え、 前記ストレージノードは、トラップ密度が相異なる少なくとも2層のトラップ膜を備え、前記ブロッキング絶縁膜は、酸化ケイ素膜よりも高い誘電率を有することを特徴とする不揮発性メモリ素子。

IPC (4)：

H01L 21/824 ,  H01L 29/792 ,  H01L 29/788 ,  H01L 27/115

FI (2)：

H01L29/78 371 ,  H01L27/10 434

F-Term (12)：

5F083EP17 ,  5F083EP18 ,  5F083EP22 ,  5F083ER09 ,  5F083ER30 ,  5F083JA02 ,  5F083JA05 ,  5F083JA06 ,  5F101BA42 ,  5F101BA45 ,  5F101BB02 ,  5F101BD02