Pat

J-GLOBAL ID：200903069210774179

半導体装置とその製造方法

Inventor： 吉川 俊英 ,  原 直紀 ,  落水 洋聡
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 高橋 敬四郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993060594
Publication number (International publication number)：1994275523
Application date： Mar. 19, 1993
Publication date： Sep. 30, 1994
Summary：

【要約】【目的】 電界効果型トランジスタを集積化したIII-V族化合物半導体装置とその製造方法に関し、効率的にサイドゲート効果を抑制することのできる半導体装置とその製造方法を提供することを目的とする。【構成】 半導体基板上に素子領域となる活性層を含む半導体装置であって、前記半導体基板と前記活性層との間に配置され、1×1018cm-3以上の酸素濃度と5×1017cm-3以下の炭素濃度を有する高抵抗率AlGaAs層を含む。

Claim (excerpt)：

半導体基板(1)上に素子領域となる活性層(4)を含む半導体装置であって、前記半導体基板(1)と前記活性層(4)との間に配置され、1×1018cm-3以上の酸素濃度と5×1017cm-3以下の炭素濃度を有する高抵抗率AlGaAs層(2)を含む半導体装置。

IPC (4)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (2)：

H01L 29/80 B ,  H01L 29/80 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭60-241141
  
• 特開平4-280897
  
• 特開平4-328822