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J-GLOBAL ID：200903069222974734

半導体光増幅器

Inventor： 大塚 一昭
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 三好 秀和 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991343439
Publication number (International publication number)：1993175611
Application date： Dec. 25, 1991
Publication date： Jul. 13, 1993
Summary：

【要約】【目的】 ファイバーとの結合が難しい斜め光導波路構造では、より高度な再現性良い光軸位置合わせ実装技術が要求される。そこで本発明は端面の光反射率を低減し、光増幅器とファイバーとの結合損失を少なくし、工程が簡単、且信頼性の高い半導体光増幅器を提供することを目的とする。【構成】 InP系等の半導体基板上に、活性層を有する光導波領域と光導波領域の外側に形成された窓構造領域とを具備する半導体光増幅器であって、活性層が窓構造と接する側面での入射角をθ1 、窓構造の端面での入射角をθ2 、活性層の屈折率をn1 、窓構造の光屈折率をn2 とし、n1 sin θ1 =n2 sin θ2 ,θ1 ≠0 の関係が成り立つことを特徴とする。【効果】 光反射防止膜をコートした両端面窓構造の斜め光導波路構造を有した半導体光増幅器は光出入射に等価的に反射率を再現性良く低減でき、斜め光導波路構造とその外側の窓構造とが接する面の角度を限定することで、入射光の進行方向に出射することが出来る為、ファイバーとの結合が容易になる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に、活性層を有する光導波領域と前記光導波領域の外側に形成された窓構造領域とを具備する半導体光増幅器において、前記活性層が前記窓構造と接する側面での入射角をθ1 、前記窓構造の端面での入射角をθ2 、前記活性層の屈折率をn1 、前記窓構造の光屈折率をn2 とした時に次の関係が成り立つことを特徴とする半導体光増幅器。n1 sin θ1 =n2 sin θ2 θ1 ≠0

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  G02F 1/35 501