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J-GLOBAL ID：200903069225258932

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 小守 純子
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 曾我 道照 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993247718
Publication number (International publication number)：1995106588
Application date： Oct. 04, 1993
Publication date： Apr. 21, 1995
Summary：

【要約】【目的】 TFT(薄膜トランジスタ)のオン電流を増加させるために、チャネル領域中でオン電流の流れる方向とチャネル領域を構成するポリシリコンの長軸方向を一致させ、グレインバンダリがポテンシャルバリアとなることを防止する。【構成】 ドレイン電極1とソース電極9の間に形成され、その長軸方向がドレイン電極1よりソース電極9へ流れる電流の方向と一致するように形成された柱状の結晶構造を有するチャネル領域4と、チャネル領域4の周面に形成されたゲート電極6とを備えている。

Claim (excerpt)：

ドレイン電極とソース電極の間に形成され、その長軸方向が前記ドレイン電極より前記ソース電極へ流れる電流の方向と一致するように形成された柱状の結晶構造を有するチャネル領域と、前記チャネル領域の周面に形成されたゲート電極とを備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/265

FI (4)：

H01L 29/78 311 H ,  H01L 21/265 P ,  H01L 29/78 311 G ,  H01L 29/78 311 S