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J-GLOBAL ID：200903069246658639

接着性を改善したトランスファ成形された半導体パッケージ

Inventor： フランク・ジェイ・ジャスキー ,  ロニー・エル・ベルナードーニ ,  トーマス・ジェイ・スワーベル ,  バリー・エム・マイルズ
Applicant, Patent owner： モトローラ・インコーポレイテッド
Agent (1)： 大貫 進介 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992090054
Publication number (International publication number)：1993190584
Application date： Mar. 17, 1992
Publication date： Jul. 30, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 トランスファ成形されたパッケージにおいて、その耐湿性を向上し、耐α線の強化を目的とする。【構成】 半導体デバイス12をプリント回路板10上に実装して、ワイヤボンディングすることにより、トランスファ成形されたパッド・アレイ・チップ・キャリヤが形成される。プリント回路板の底面には、はんだ付け可能な面24のアレイがあってもよい。ポリマ皮膜18が半導体デバイス12、ワイヤボンド16およびプリント回路板10の上面に塗布され、硬化される。皮膜18は次に部分真空中でスパッタ・エッチングされて、トランスファ成形材料20のプリント回路板10に対する接着力を強化する。半導体デバイスはトランスファ成形工程によりカプセル化される。ポリマ皮膜18はまた、アルファ粒子の放出に対するバリアの役割も果たして、完成されたパッケージの耐湿性を向上させ、デバイスの表面の応力を小さくする。

Claim (excerpt)：

上と下との対向する面を有するプリント回路板;プリント回路板の上面に電気的および機械的に付着された半導体デバイス;半導体デバイスとプリント回路板の上面の少なくとも一部を覆うポリマ皮膜であって、粗化された表面を有するポリマ皮膜;および半導体デバイスの周囲に形成された、半導体デバイスと、プリント回路板の上面の少なくとも一部とをカプセル化する成形材料であって、前記ポリマ皮膜の前記粗化面と直接接触している成形材料;により構成されることを特徴とするトランスファ成形された半導体パッケージ。

IPC (6)：

H01L 21/56 ,  B29C 45/02 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  B29L 31:34

FI (2)：

H01L 23/12 L ,  H01L 23/30 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭61-208857
  
• 特開昭59-215752
  
• 特開昭63-107156