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J-GLOBAL ID：200903069248437745

ダイナミツクRAMにおける容量の形成方法

Inventor： 黒田 英明
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 小池 晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991287100
Publication number (International publication number)：1993102419
Application date： Oct. 07, 1991
Publication date： Apr. 23, 1993
Summary：

【要約】【目的】 ダイナミックRAMの容量の自然酸化膜の発生を抑えて誘電体膜の信頼性を高くし、低リーク電流等を実現する。【構成】 下部電極層21を形成した後に短時間熱窒化処理を行って熱窒化膜22を形成し、低圧CVDによりその熱窒化膜上に窒化膜23を積層し、次いで上部電極層を形成する。この場合において、予め不純物を含有しない下部電極層21を熱窒化処理することで自然酸化膜の発生が抑えられ、その下部電極層の導電化のためには、熱窒化処理の後にイオン注入する。また、他の方法として、熱窒化膜の形成後にその表面の自然酸化膜を除去することでも容量の誘電体膜の高い信頼性が得られる。

Claim (excerpt)：

基板上に不純物を含有しない下部電極層を形成する工程と、短時間熱窒化処理により前記下部電極層の表面に熱窒化膜を形成する工程と、イオン注入により前記下部電極層に不純物を導入する工程と、低圧CVD法により窒化膜を前記熱窒化膜上に窒化膜を積層する工程と、前記窒化膜上に上部電極層を積層する工程とを順次有することを特徴とするダイナミックRAMにおける容量の形成方法。

IPC (2)：

H01L 27/108 ,  H01L 27/04