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J-GLOBAL ID：200903069249901127

半導体ウエハの裏面処理方法及びその装置

Inventor： 吉田 雅弘
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 高橋 光男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992030567
Publication number (International publication number)：1993226308
Application date： Feb. 18, 1992
Publication date： Sep. 03, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】半導体ウエハを所定の厚さにするための裏面研削を高精度で、しかも少ない処理工程で行うことを目的とする。【構成】裏面を保護テープ3で保護した半導体ウエハ1を裏面処理装置10Aの粗砥石12及び仕上砥石14で裏面研削した後、スピンナー15に移して、半導体ウエハ1Cに発生したダメージ層4をエッチング用ノズル20からのエッチング液でスピンエッチングすることを特徴とし、その後スピンナー洗浄、スピンナー乾燥して、所定の厚さの半導体ウエハを毎葉処理で得るようにしている。【効果】従来技術のようにバッチ処理でないので、半導体ウエハ毎のばらつきがなく、高精度で仕上げることができ、また工数の削減、コストの低減もでき、更に裏面処理装置も従来のものを流用できる。

Claim (excerpt)：

半導体ウエハの表面に保護テープを貼り、該保護テープを貼った半導体ウエハを、その保護テープ側からステージに取り付けて、その半導体ウエハの裏面を研削砥石で研削し、その後、該研削した半導体ウエハを回転させながら、その裏面を化学エッチングし、その後、該化学エッチングした半導体ウエハを回転させながら純水で洗浄し、そして更に洗浄した半導体ウエハを回転させながら空気を吹きつけて乾燥させ、所望の厚さの半導体ウエハを得ることを特徴とする半導体ウエハの裏面処理方法。

IPC (2)：

H01L 21/304 331 ,  H01L 21/304 321

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭61-121335
  
• 特開昭63-173327
  
• 特開昭57-170103
  
• 特開昭63-256342