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J-GLOBAL ID:200903069257474220
自動マクロ検査装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
大西 正悟
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997234505
Publication number (International publication number):1999072443
Application date: Aug. 29, 1997
Publication date: Mar. 16, 1999
Summary:
【要約】【課題】 照明装置、撮像装置等を固定したまま、さまざまな被検査物のマクロ検査を効率よく行うことができるようにする。【解決手段】 ウエハ3に対して第1の所定角度で固定配設され、ウエハ3の全面に向かってほぼ平行な光束を有した照明光を照射する照明光学系100と、ウエハ3に対して第2の所定角度で固定配設され、ウエハ3から回折光もしくは散乱光を受光してウエハの像を撮像する撮像素子6と、この撮像素子6により得られた画像信号を取り込み、画像処理を行ってマクロ検査を行う画像処理装置7とから構成され、照明光学系100からの照明光の波長を可変設定する複数の干渉フィルターを備えている。
Claim (excerpt):
被検査物に対して第1の所定角度で対向して固定配設され、前記被検査物の全面に向かってほぼ平行な光束を有した照明光を照射する照明装置と、前記被検査物に対して第2の所定角度で対向して固定配設され、前記被検査物から前記照明光の照射により発生する回折光もしくは散乱光を受光して前記被検査物の像を撮像する撮像手段と、この撮像手段により得られた画像信号を取り込み、画像処理を行って前記被検査物のマクロ検査を行う画像処理手段と、前記照明装置からの照明光の波長を可変設定する照明波長設定手段とを備えたことを特徴とする自動マクロ検査装置。
IPC (3):
G01N 21/88
, G01N 21/84
, H01L 21/66
FI (3):
G01N 21/88 E
, G01N 21/84 E
, H01L 21/66 J
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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半導体ウェーハの欠陥測定方法及び同装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-217634
Applicant:株式会社東芝
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特開平4-024541
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半導体基板の製造方法並びに被検査対象物上のパターンの欠陥検査方法及びその装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-139198
Applicant:株式会社日立製作所
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特開昭63-226937
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異物検査方法及びその装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-098095
Applicant:株式会社日立製作所
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欠陥検査装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-254590
Applicant:株式会社ニコン
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