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J-GLOBAL ID：200903069263374156

磁電変換素子

Inventor： 伊藤 隆
Applicant, Patent owner： 旭化成工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992020921
Publication number (International publication number)：1993218528
Application date： Feb. 06, 1992
Publication date： Aug. 27, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 表面がガラス被覆処理された基板上に磁伝変換素子の感磁薄膜となる半導体薄膜を直接形成した場合に、その結晶構造の大きな違いに起因して高い電子移動度を持つ良好な特性の半導体薄膜を得ることが難しいという問題を解決し、高い電子移動度を持つ良好な特性の半導体薄膜を得る。【構成】 基板1のガラス被覆面2上に、中間層として感磁薄膜となる半導体4と同じ結晶構造を有する高抵抗半導体薄膜3を形成する。【効果】 本発明の磁電変換素子及びその製造方法によれば、ガラス被覆処理した基板表面上に良好な結晶性の半導体薄膜を容易に形成することができる。

Claim (excerpt)：

表面がガラス被覆処理された基板上に高抵抗半導体薄膜が形成され、かつ該高抵抗半導体薄膜上に形成された半導体薄膜を感磁薄膜としたことを特徴とする磁電変換素子。

IPC (2)：

H01L 43/06 ,  H01L 43/08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭64-001287
  
• 特開昭61-269386