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J-GLOBAL ID：200903069280893078
半導体レーザ装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
岩佐 義幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991181398
Publication number (International publication number)：1993029706
Application date： Jul. 23, 1991
Publication date： Feb. 05, 1993
Summary：
【要約】【目的】 半導体レーザ装置で、しきい値や効率の劣化を低く抑えて、高出力を得る。【構成】 n-GaAs基板1上にn-AlGaInPクラッド層2,GaInP活性層3,p-AlGaInPクラッド層4が形成してあり、p-AlGaInPクラッド層4はストライプ状のメサ部以外は光の閉じ込めに不十分な厚みとなっている。このメサ部以外の部分とメサ部の図面手前の端面近傍の上には、n-GaAs5が形成されており、さらにすべての上にp-GaAs6を形成してある。また、図面手前の端面の近傍のみに、Zn拡散窓層9が形成され、この端面には低反射膜であるAl2 O3 膜7が形成され、後面には高反射膜であるAl2 O3 /a-Si膜8が形成されている。
Claim (excerpt)：
一方のキャビティ端面の反射率が、他の一方のキャビティ端面の反射率より小さい半導体レーザ装置において、反射率の小さい方の端面近傍にのみ窓構造、もしくは、電流非注入領域、もしくは、その両方を具備することを特徴とする半導体レーザ装置。
Patent cited by the Patent：
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