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J-GLOBAL ID：200903069284740691

マスクの欠陥検査方法

Inventor： 菅原 稔
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997272982
Publication number (International publication number)：1999052549
Application date： Oct. 06, 1997
Publication date： Feb. 26, 1999
Summary：

【要約】【課題】 マスク上のパターン寸法が微細化した場合、又は微小図形が存在する場合、又は位相差欠陥が存在する場合、又は露光工程で解像することのない付加された補助パターンが存在する場合であっても、マスクパターンの欠陥を精度良く検出できるマスクの欠陥検査方法を提供する。【解決手段】 パターンが形成されているマスク11の表面上に、蛍光もしくはリン光あるいはその両方を発する材料を溶解させた溶液13を塗布する工程と、該マスク11の裏面に可視領域から紫外領域の波長を有する光を照射する工程と、該溶液13から発せられる蛍光もしくはリン光あるいはその両方を検出することにより、マスクパターンの欠陥を検出する工程と、を具備することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

パターンが形成されているマスクの表面上に、蛍光もしくはリン光あるいはその両方を発する材料を溶解させた溶液を塗布する工程と、該マスクの裏面に可視領域から紫外領域の波長を有する光を照射する工程と、該溶液から発せられる蛍光もしくはリン光あるいはその両方を検出することにより、マスクパターンの欠陥を検出する工程と、を具備することを特徴とするマスクの欠陥検査方法。

IPC (3)：

G03F 1/08 ,  G03F 1/16 ,  H01L 21/027

FI (3)：

G03F 1/08 S ,  G03F 1/16 A ,  H01L 21/30 502 V