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J-GLOBAL ID：200903069289895421

バイポーラトランジスタの製造方法

Inventor： 椎名 泰一
Applicant, Patent owner： 古河電気工業株式会社
Agent (1)： 大澤 斌 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998302169
Publication number (International publication number)：2000133654
Application date： Oct. 23, 1998
Publication date： May. 12, 2000
Summary：

【要約】【課題】 ベース層の水素濃度が低く良好な特性を示すバイポーラトランジスタを簡易な製造工程で経済的に製造する方法を提供する。【解決手段】 本製造方法は、有機金属気相成長法を用いて、Ga As 基板上に、それぞれ、化合物半導体からなる、コレクタ層16、18、炭素をp型不純物として含むベース層20、エミッタ層22、エミッタキャップ層24を、順次、エピタキシャル成長させてエピタキシャル層を形成する過程で、エミッタ層の成長開始以降でかつ電極層の成長開始前に、水素・砒素非直接結合型有機砒素化合物ガスを含み、かつ、水素と砒素が直接結合している砒素化合物ガスを含まない水素雰囲気下で600°C以上700°C以下の温度で熱処理をエピタキシャル層に施す。これにより、ベース層中の水素を放散させ、かつベース中の不純物である炭素を活性化させることができる。

Claim (excerpt)：

Ga As 基板上に、有機金属気相成長法(MOCVD法)を用いて、それぞれエピタキシャル成長させた化合物半導体層からなる、コレクタ層、炭素をp型不純物として含むベース層、エミッタ層及び電極層を少なくとも備えたエピタキシャル層を有するバイポーラトランジスタの製造方法において、エピタキシャル層の形成過程で、エミッタ層のエピタキシャル成長開始後で、かつ電極層の成長開始前に、水素・砒素非直接結合型有機砒素化合物ガスを含み、かつ、水素と砒素が直接結合している砒素化合物ガスを含まない水素雰囲気下で600°C以上700°C以下の温度で熱処理をエピタキシャル層に施す熱処理工程を有することを特徴とするバイポーラトランジスタの製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/205

FI (3)：

H01L 29/72 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/205

F-Term (30)：

5F003BA92 ,  5F003BB04 ,  5F003BC02 ,  5F003BE02 ,  5F003BE04 ,  5F003BE90 ,  5F003BF06 ,  5F003BH08 ,  5F003BH99 ,  5F003BM02 ,  5F003BM03 ,  5F003BN02 ,  5F003BP32 ,  5F003BP42 ,  5F003BP94 ,  5F045AA04 ,  5F045AB10 ,  5F045AB17 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC19 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AF04 ,  5F045BB08 ,  5F045BB16 ,  5F045CA02 ,  5F045EE12 ,  5F045HA16