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J-GLOBAL ID：200903069290530860

半導体装置

Inventor： 吉田 清輝
Applicant, Patent owner： 古河電気工業株式会社
Agent (1)： 長門 侃二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997345406
Publication number (International publication number)：1999176838
Application date： Dec. 15, 1997
Publication date： Jul. 02, 1999
Summary：

【要約】【課題】 新規なヘテロ接合構造を有し、とくにHBTとして有用な半導体装置を提供する。【解決手段】 この半導体装置は、n型またはp型半導体層の上面と下面に、前記半導体層と逆導電型の半導体層が接合しているヘテロ接合構造Aを有する半導体装置において、ヘテロ接合構造Aのn型半導体層3はGaN系化合物半導体から成り、p型半導体層2,4はダイヤモンド結晶から成る。

Claim (excerpt)：

n型またはp型の半導体層の上面と下面に、前記半導体層と逆導電型の半導体層が接合しているヘテロ接合構造を有する半導体装置において、前記ヘテロ接合構造のn型半導体層はGaN系化合物半導体から成り、p型半導体層はダイヤモンド結晶から成ることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/205

FI (2)：

H01L 29/72 ,  H01L 29/205