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J-GLOBAL ID：200903069306663424

プラズマ処理装置及びその方法

Inventor： 八嶋 浩二
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 井上 一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995328147
Publication number (International publication number)：1996250488
Application date： Nov. 22, 1995
Publication date： Sep. 27, 1996
Summary：

【要約】【課題】 熱とプラズマとを併用し、短時間でかつ低温にて処理できるプラズマ処理装置及びその方法を提供すること。【解決手段】 プラズマ放電により励起された活性種により、被処理体を処理するプラズマ処理装置は、被処理体1を支持するサセプタ電極30とその対向電極20から成り、電源40からの交流電圧が印加される一対のプラズマ生成用電極を有する。さらに、被処理体1に向けて熱線を輻射するハロゲンランプ60が、各電極20,30の外側に設けられている。電極20,30は、ハロゲンランプ60からの熱線を透過しかつ耐熱温度が200°C以上の材質、例えばシリコン基板中に不純物がドープされたドープトシリコンにて形成されている。

Claim (excerpt)：

プラズマ放電により励起された活性種により、被処理体を処理するプラズマ処理装置において、前記被処理体を支持するサセプタ電極とその対向電極から成り、交流電圧が印加される一対のプラズマ生成用電極と、前記被処理体に向けて熱線を輻射する加熱源と、を有し、少なくとも一方の前記電極は、前記加熱源と対向して配置され、前記加熱源からの前記熱線を透過しかつ耐熱温度が200°C以上の材質にて形成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (6)：

H01L 21/31 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/324 ,  H05H 1/46

FI (7)：

H01L 21/31 C ,  C23F 4/00 D ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/318 A ,  H01L 21/324 D ,  H05H 1/46 M ,  H01L 21/302 B