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J-GLOBAL ID：200903069329365480
波長可変半導体レーザ
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
本庄 伸介
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992022039
Publication number (International publication number)：1993190960
Application date： Jan. 10, 1992
Publication date： Jul. 30, 1993
Summary：
【要約】【目的】 波長可変範囲の広い波長可変レーザを提供する。【構成】 TTG-LDや、DBR-LD等の波長可変レーザにおいてチューニング層として、nipi構造やタイプII半導体超格子を採用することにより、チューニング層におけるキャリア寿命時間を増大し、それによって電流注入による屈折率変化量を増大し、波長可変範囲を大幅に改善する。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に発光再結合する活性層と、この活性層に平行に形成されたチューニング層とを有し、前記活性層およびチューニング層に独立に電流を注入できるような電極が形成された2重導波構造分布帰還型の波長可変半導体レーザにおいて、前記チューニング層が異なる導電型の半導体多層膜よりなることを特徴とする波長可変半導体レーザ。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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