半導体発光素子

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：三好秀和 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993309238
Publication number (International publication number)：1995162037
Application date： Dec. 09, 1993
Publication date： Jun. 23, 1995
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】デバイス特性を悪化させることなく容易に光り取り出し面を粗い状態にして光の取り出し効率を向上させた半導体発光素子を提供することである。【構成】 GaAs基板1上に少なくともInGaAlP系からなるクラッド層4,6及び活性層5とGaAlAs系またはInGaAlP系からなる電流拡散層7とが順次形成され、前記活性層から発光された光を外部に取り出す光取り出し面が光の散乱を生ずる粗い状態の光散乱面として形成された半導体発光素子において、前記光散乱面8は、前記電流拡散層7の成長時にIII 族及びV族の原料比を低下させて形成する。

Claim (excerpt)：

GaAs基板上に少なくともInGaAlP系からなるクラッド層及び活性層とGaAlAs系またはInGaAlP系からなる電流拡散層とが順次形成され、前記活性層から発光された光を外部に取り出す光取り出し面が光の散乱を生ずる粗い状態の光散乱面として形成された半導体発光素子において、前記光散乱面は、前記電流拡散層の成長時にIII 族及びV族の原料比を低下させて形成したことを特徴とする半導体発光素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-351646 Applicant：株式会社東芝
特開平4-361572
特開平4-212479

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