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J-GLOBAL ID：200903069346124020

エッチングされた低誘電率材料の孔を封じるための誘電体形成

Inventor： ベッサー,ポール・アール ,  スリカンテワラ,ダクシナ-マーシー ,  マーティン,ジェレミー・アイ ,  スミス,ジョナサン・ビィ ,  アペルグレン,エリック・エム
Applicant, Patent owner： アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド
Agent (1)： 深見 久郎 (外5名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2001553580
Publication number (International publication number)：2003520448
Application date： Sep. 20, 2000
Publication date： Jul. 02, 2003
Summary：

【要約】構造層(110)上に第1の誘電体層(130)を形成するステップと、第1の誘電体層(130)内に第1の開口(220)を形成するステップとを含む方法であって、第1の開口(220)は側壁を有する。この方法は、第1の開口(220)の側壁上に第2の誘電体層(430)を形成するステップをさらに含む。

Claim (excerpt)：

構造層(100)上に第1の誘電体層(130)を形成するステップと、 前記第1の誘電体層(130)内に第1の開口(220)を形成するステップとを含み、前記第1の開口(220)は側壁(230)を有し、さらに、 前記第1の開口(220)の前記側壁(230)上に第2の誘電体層(430)を形成するステップを含む、方法。

F-Term (53)：

5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033HH21 ,  5F033HH23 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ23 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033KK07 ,  5F033KK11 ,  5F033KK21 ,  5F033KK23 ,  5F033KK32 ,  5F033KK33 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN05 ,  5F033NN06 ,  5F033PP06 ,  5F033PP14 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ82 ,  5F033RR03 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR07 ,  5F033RR08 ,  5F033RR09 ,  5F033RR29 ,  5F033SS07 ,  5F033SS08 ,  5F033SS11 ,  5F033SS13 ,  5F033SS15 ,  5F033SS22 ,  5F033TT07 ,  5F033TT08 ,  5F033XX01 ,  5F033XX02 ,  5F033XX24