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J-GLOBAL ID：200903069349861050

窒化チタンアルミニウム膜の形成方法

Inventor： 鈴木 泰雄
Applicant, Patent owner： 日新電機株式会社
Agent (1)： 山本 惠二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992020567
Publication number (International publication number)：1993186862
Application date： Jan. 08, 1992
Publication date： Jul. 27, 1993
Summary：

【要約】【目的】 良質のTiAlN膜を安定して形成することができる窒化チタンアルミニウム膜の形成方法を提供する。【構成】 窒素ガス6が導入される真空容器2内で、アーク式蒸発源14を用いてチタンカソード16をアーク放電によって局部的に溶解させてチタン粒子16aを蒸発させると共に、イオン源26から引き出した不活性ガスイオンビーム28をアルミニウムターゲット30に照射してそこからアルミニウム粒子30aをスパッタさせ、これらの粒子16a、30aを基体10に入射させる。

Claim (excerpt)：

窒素雰囲気中で、チタンカソードをアーク放電によって局部的に溶解させてチタン粒子を蒸発させると共に、アルミニウムターゲットに不活性ガスイオンビームを照射してそこからアルミニウム粒子をスパッタさせ、これらによって基体の表面に窒化チタンアルミニウム膜を形成することを特徴とする窒化チタンアルミニウム膜の形成方法。

IPC (2)：

C23C 14/06 ,  C23C 14/22

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-028937
  
• 特開平2-290454
  
• 特開昭56-108910