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J-GLOBAL ID：200903069370775430

半導体装置

Inventor： 斎藤 吉広
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992015105
Publication number (International publication number)：1993218015
Application date： Jan. 30, 1992
Publication date： Aug. 27, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、吸水性に優れた表面保護膜を有する半導体装置を得ることを目的とする。【構成】 半導体素子が形成された基板上の絶縁膜(1)の所定部分には、上層配線(2)が施されている。この上層配線(2)を含む絶縁膜(1)上には、第(1)のSiN層(31)、SiO2 層(4)、及び第2のSiN層(32)が順次積層されて表面保護膜を形成している。上述の構造によれば、表面保護膜の上層を形成する第2のSiN層(32)にごくわずかに存在するピンホールを透過して浸入する水分は、吸水性のあるSiO2 層(4)で吸収される。

Claim (excerpt)：

上面が表面保護膜により被覆されている半導体装置において、前記表面保護膜は、第1の窒化シリコン層と、酸化シリコン層と、第2の窒化シリコン層とが順次積層された3層構造を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/318 ,  H01L 21/90