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J-GLOBAL ID：200903069374610487
面発光型半導体レーザの製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992052643
Publication number (International publication number)：1994021563
Application date： Mar. 11, 1992
Publication date： Jan. 28, 1994
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 II-VI族化合物半導体からなる埋込み層(電流狭窄層)を有し界面準位の発生を抑制できる面発光型半導体レーザの製造方法を提供する。【構成】 基板102上に複数層の半導体層を形成する工程と、そのうち少なくともクラッド層105を含む層部分をマスクを用いてエッチングして、少なくとも1本の柱状の半導体層を形成する工程と、柱状の半導体層の周囲に、II-VI族化合物半導体をエピタキシャル成長させて埋込み層109を形成する工程と、その前工程として層表面の洗浄処理工程を含む。洗浄処理は、層形成された基板を硫化アンモニウムおよび/またはセレン化アンモニウムの水溶液に浸して半導体層表面に硫化物層もしくはセレン化合物層を形成後加熱処理を行って前記硫化物層もしくはセレン化合物層を除去すること、あるいはイオウ、硫化物、セレンおよびセレン化合物の少くとも1種を含有する雰囲気中で基板を処理して表面の汚染層を除去する。
Claim (excerpt)：
基板に垂直な方向に光を出射する面発光型半導体レーザの製造方法において、半導体もしくは誘電体からなる基板上に光共振器を構成する複数層の半導体層を形成する工程と、前記半導体層上にフォトレジストマスクを形成し、前記半導体層のうち少なくともクラッド層を含む層部分を前記フォトレジストマスクを用いてエッチングして、1本または複数本の柱状の半導体層を形成する工程と、前記柱状の半導体層の周囲に、II-VI族化合物半導体をエピタキシャル成長させて埋込み層を形成する工程と、を含み、前記柱状の半導体層の周囲を前記II-VI族化合物半導体により埋め込む埋込み層の形成工程の前工程として、半導体層が形成された基板を硫化アンモニウムおよび/またはセレン化アンモニウムの水溶液に浸して半導体層表面に硫化物層もしくはセレン化合物層を形成し、その後加熱処理を行って前記硫化物層もしくはセレン化合物層を除去する清浄処理工程を含むことを特徴とする面発光型半導体レーザの製造方法。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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