メモリ装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：藤谷修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995117920
Publication number (International publication number)：1996287697
Application date： Apr. 18, 1995
Publication date： Nov. 01, 1996
Summary：

【要約】【目的】書換え制限回数のある不揮発性メモリを有するメモリ装置を用いて書換え回数を越えて使用する構成で、書込み中断などの不具合が発生しても、確実な情報を保持出来、特別な処理をしなくても良い構成とすること。【構成】EEPROM10を、必要な書換え回数を書換え制限回数(約10000)で割った値以上の整数N 個のブロックに分割して、ブロックへのデータの書込みが書換え毎に順番に実施される。ブロックの選択は、ブロック一つ一つに対して対応させてある書込み終了テーブル12、さらには書込み開始テーブル11が参照されて、読出すブロックと、次に書込むブロックとが決定される。書換え途中に給電が遮断されて、不完全に書換えが終了したとしても、再び電源が回復してデータを参照する際に、中断されたブロックは書込み終了の参照データが設定されていないので、その前のブロックが最新データを記憶していると認識される。

Claim (excerpt)：

書換え制限回数を有する不揮発性のメモリを有して読出し書込みがプログラムで実施されるメモリ装置において、一回のデータの読出しと書込みの一単位となる複数個のブロックに分割されたデータ記憶手段と、前記ブロック一つ一つに対して、書込終了時に又は書込開始時にその旨の状態を示す参照データの少なくともいずれか一つを記憶する状態記憶手段と、前記参照データを用いて、最後にデータの書込みが正常終了したブロックを読出可能ブロック、その次のブロックを書込可能ブロックと判定するブロック判定手段と、前記読出可能ブロックに対してデータを読出し、または前記書込可能ブロックに対してデータを書込むと共に、前記状態記憶手段において前記書込開始時又は書込終了時に、その参照データを更新する読出書込手段とを有し、前記読出可能ブロックまたは前記書込可能ブロックを順次更新することを特徴とするメモリ装置。

IPC (3)：

G11C 16/06 , G06F 12/16 310 , G06F 12/16 340

FI (3)：

G11C 17/00 309 F , G06F 12/16 310 A , G06F 12/16 340 P

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

特開平1-277397
特開平1-277397
特開平4-021999

Show all

Return to Previous Page