ナノ構造制御高分子イオン交換膜の製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (6)：社本一夫 , 増井忠弐 , 小林泰 , 千葉昭男 , 富田博行 , 平山晃二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003305094
Publication number (International publication number)：2005078849
Application date： Aug. 28, 2003
Publication date： Mar. 24, 2005
Summary：

【課題】高分子イオン交換膜における欠点であるイオン交換容量が小さく、耐酸化性、寸法安定性及び耐メタノール性が悪いことなどを解決課題とする。【解決手段】基材とした高分子フィルムをイオン照射してナノサイズの照射損傷領域を作り、機能性モノマーをグラフト又は共グラフトし、更にグラフト鎖へスルホン酸基を導入することによって、優れた耐酸化性、寸法安定性、及び耐メタノール性を有し、かつイオン交換容量が広い範囲内に制御された高分子イオン交換膜の製造法を確立した。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

高分子フィルム基材に水素イオン、ヘリウムイオン、又は高エネルギー重イオンを104〜1014個/cm2照射し、該フィルム基材にスルホニルハライド基を有するモノマーである、CF2=CF(SO2X1)(式中、X1はハロゲン基で-F又は-Clである。以下同じ。)、CH2=CF(SO2X1)、及びCF2=CF(OCH2(CF2)1〜4SO2X1)からなる群から選択される1種類又は2種類以上のモノマーを加えて脱気後加熱し、該フィルム基材に該モノマーをグラフト重合させ、グラフトした分子鎖中のハロゲン基[-X1]をスルホン酸塩[-SO3M](式中、Mはアルカリ金属でNa又はKである。)とし、次いでスルホン酸塩基をスルホン酸基[-SO3H]とすることを特徴とする、高分子イオン交換膜の製造方法。

IPC (4)：

H01M8/02 , C08J5/22 , H01B13/00 , H01M8/10

FI (5)：

H01M8/02 P , C08J5/22 101 , C08J5/22 , H01B13/00 Z , H01M8/10

F-Term (20)：

4F071AA02 , 4F071AA14 , 4F071AA26 , 4F071AA43 , 4F071AA50 , 4F071AA54 , 4F071AA60 , 4F071AA64 , 4F071AC03 , 4F071FB01 , 4F071FC01 , 4F071FC08 , 4F071FD04 , 5H026AA08 , 5H026BB00 , 5H026BB01 , 5H026BB10 , 5H026CX05 , 5H026EE19 , 5H026HH05

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

広範囲なイオン交換容量のフッ素樹脂イオン交換膜及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-170450 Applicant：日本原子力研究所
広いイオン交換容量を有するフッ素系高分子イオン交換膜及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-153926 Applicant：日本原子力研究所

Cited by examiner (5)

広いイオン交換容量を有するフッ素系高分子イオン交換膜及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-153926 Applicant：日本原子力研究所
優れた耐酸化性と高いイオン交換容量を有するフッ素系高分子イオン交換膜及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-281181 Applicant：日本原子力研究所
固体高分子電解質膜および固体高分子電解質型燃料電池
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-020644 Applicant：アイシン精機株式会社

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